گفت‌وگوی علمی

نانو ترانزیستور های اثر میدانی(Nano Teransistor Mosfet) یک نانو ترانزیستور اثر میدانی با آنگستروم (146/0 نانو متر) به چه میزان است؟؟

ظهور آثار کوانتومی با کوچک شدن ابعاد ترانزیستور و ورود به محدوده ی زیر 100 نانومتر، رفتار تک تک اتم ها به تدریج قابل توجه و مهم میشود.با توجه به ابعاد اتم سیلیسیوم که حدود 46/1 آنگستروم (146/0 نانومتر) به چه میزان است؟؟

مهندسی برق برق الکترونیک نانو میکرو مباحث برق

7 3

ارسال نظر

نانوترانزیستورهای اثر میدانی (MOSFET) با ابعاد زیر 100 نانومتر وارد محدوده‌ای می‌شوند که آثار کوانتومی در آن مشهود است. در این ابعاد، اثرات کوانتومی که به رفتار تک تک اتم‌ها مربوط می‌شود، نقش مهمی ایفا می‌کنند. ابعاد اتم سیلیسیوم حدود 1.46 آنگستروم (0.146 نانومتر) است. وقتی ابعاد ترانزیستور به اندازه‌ای کوچک می‌شود که به زیر 100 نانومتر می‌رسد، ممکن است ترانزیستور دیگر نتواند به طور معمول عمل کند زیرا تأثیرات کوانتومی مانند تونل‌زنی الکترون‌ها و اثرات پراکندگی کوانتومی بیشتر از اثرات کلاسیک می‌شوند. به همین دلیل، در ترانزیستورهایی که در این مقیاس هستند، طراحی‌های خاصی مانند استفاده از نانو لایه‌ها و ترانزیستورهای 3 بعدی (FinFET) به کار می‌روند تا از این اثرات جلوگیری شود و عملکرد دستگاه حفظ گردد. در صورتی که طول کانال ترانزیستور به اندازه 146 آنگستروم (0.146 نانومتر) برسد، این طول بسیار کوچک‌تر از ابعاد معمولی ترانزیستورها است و تأثیرات کوانتومی به طور قابل توجهی بر عملکرد ترانزیستور تاثیر می‌گذارند. در این مقیاس، نیاز به روش‌های جدید برای کنترل جریان و جلوگیری از مشکلات مانند تونل‌زنی الکترون‌ها به شدت احساس می‌شود.

برای ارسال پاسخ شوید.

نانو ترانزیستور های اثر میدانی(Nano Teransistor Mosfet) یک نانو ترانزیستور اثر میدانی با آنگستروم (146/0 نانو متر) به چه میزان است؟؟

با توجه به ابعاد اتم سیلیسیوم که حدود 46/1 آنگستروم (146/0 نانومتر) حجم جنبش مولکولی نانو ذرات فعال به چه میزان است؟؟